掩膜对准曝光机是半导体器件制备过程中所需的紫外曝光设备。该设备是一款普通的曝光设备，采用波长为365nm的紫外光穿过掩膜版对样品上的光刻胶进行曝光，清洗，最终刻出所需的半导体器件结构。设备技术参数如下：设备最小线宽3μm；所用光刻胶AR-P5350；光刻版小于2英寸；样品要求：直径小于50mm、厚度低于4mm。
