感应耦合等离子体化学气相沉积系统(ICPECVD)
作者:     时间:2022-03-15     点击数:
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联系人 贾磊 联系电话 18654559573
放置地点 软件园校区教研楼B104 仪器品牌 SENTECH
规格型号 SI 500D 启用时间
所属机构 资产编号 2111632S
开放共享


沉积二氧化硅、氮化硅薄膜;
沉积速率:≥ 15 nm/min;样品尺寸:≤4英寸;
ICP功率:1200W;温度范围:室温~350℃;
本底真空 ≤ 1 × 10-5 Pa。