一、技术指标:
1.加速电压:20kV至200kV;
2. TEM模式@200kV:点分辨率为0.19nm;晶格分辨率为0.1nm;
3. STEM模式@200kV:暗场像分辨率为0.14nm;背散射像分辨率为1nm;
4.双倾样品杆:X轴±25°,Y轴±25°;
5. TEM模式下放大倍数@200kV:MAG 2kx ~ 2Mx;Low MAG 50x~6kx;
6. SCAN模式下放大倍数@200kV:MAG 20kx ~ 150Mx;Low MAG 200x~15kx;
7.双100 mm2 SDD分辨率:solid angle 1.2sr;
8. EELS分辨率:0.3 eV。
二、主要功能:
形貌分析:非晶材料的质厚衬度像,多晶材料的衍射衬度像和单晶薄膜的相位衬度像(原子像)。结构分析:电子衍射,原子位错,孪晶类型,晶界结构。成分分析:小到纳米尺度的微区或晶粒的成分分析。