一、主要规格及技术指标：

1.发射源：钨灯丝,具有自动电子枪启，对中选择偏压功能；

2.聚焦：具有手动及自功能；

3.光阑：三级可调物镜；

4.加速电压：0.2 - 30kV，10V步进连续可调；

5.电子束位移：±20µm；

6.放大倍数：5 - 1,000,000X；

7.分辨率：3.0nm @ 30kV（SE）4.0nm @ 30KV（VP、BSEBSEBSE）；

8.布鲁克能谱仪:可进行高质量、高效率定性和定量分析：

(1)探测器：XFlash第六代硅漂移（SDD）电制冷探测器，采用场效应管（FETFET）一体化集成设计的高速SDD芯片，30mm2有效面积，超薄窗设计独立真空；

(2)能量分辨率：在100,000CPS条件下Mn Ka保证优于129eV；

(3)元素分析范围：Be~Am95，计数率优于600,000CPS。

二、应用方向和特色：

适用于金属、陶瓷、半导体、矿物、生物、高分子、复合材料和纳米级一维、二维和三维材料的表面形貌和组织结构观察。