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感应耦合等离子体化学气相沉积系统(ICPECVD)

联系人:贾磊

放置地点:软件园校区教研楼B104

规格型号:SI 500D

资产编号:2111632S


沉积二氧化硅、氮化硅薄膜;
沉积速率:≥ 15 nm/min;样品尺寸:≤4英寸;
ICP功率:1200W;温度范围:室温~350℃;
本底真空 ≤ 1 × 10-5 Pa。

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