一、技术指标：

1.加速电压：20kV至200kV；

2. TEM模式@200kV：点分辨率为0.19nm；晶格分辨率为0.1nm；

3. STEM模式@200kV：暗场像分辨率为0.14nm；背散射像分辨率为1nm；

4.双倾样品杆：X轴±25°，Y轴±25°；

5. TEM模式下放大倍数@200kV：MAG 2kx ~ 2Mx；Low MAG 50x~6kx；

6. SCAN模式下放大倍数@200kV：MAG 20kx ~ 150Mx；Low MAG 200x~15kx；

7.双100 mm2 SDD分辨率：solid angle 1.2sr；

8. EELS分辨率：0.3 eV。

二、主要功能：

形貌分析：非晶材料的质厚衬度像，多晶材料的衍射衬度像和单晶薄膜的相位衬度像(原子像)。结构分析：电子衍射，原子位错，孪晶类型，晶界结构。成分分析：小到纳米尺度的微区或晶粒的成分分析。