一、主要规格及技术指标

1、分辨率：0.6 nm@15 KV（二次电子），1 nm@1 kV（二次电子）；

2、电子枪：肖特基热场发射；

3、加速电压范围：0.02 kV～30 kV，连续可调；

4、Ga离子束分辨率：2.5 nm@30 kV; 3、Ga离子束流强度：0.1 pA-65 nA；

5、离子束电压：0.5 kV～30 kV；

6、Ga离子束分辨率：2.5 nm@30 kV。

二、主要功能及特色

应用领域：适用于金属、陶瓷、半导体、矿物、生物、高分子、复合材料和纳米级一维、二维和三维材料的表面形貌和组织结构观察以及精密TEM样品制备。

三、主要附件及配置

ETD探头。