一、主要规格及技术指标：

1.分辨率：0.8nm@15KV（二次电子），1.4nm@1kV（二次电子，非减速模式）；

2.放大倍率：12 -2,000,000倍，根据加速电压和工作距离的改变倍数，放大倍数自动校准，无需模式更换；

3.电子枪：肖特基热场发射；

4.加速电压范围：0.02kV～30 kV，连续可调；

5.探针电流：最大不小于20nA，束流稳定性优于0.1% /h；

6.电子光路具备色差校正设计，在低电压下高分辨观察性能子光路具备色差校正设计，能够直接观察不导电样品；

7.能谱仪:分辨率<129 eV (Mn Kα, 100000 cps)；稳定范围1-100 000 cps；F Kα<62eV；C Kα<54eV；晶体有效面积：60 mm2；元素探测范围：B (5) - Am (95)。

二、应用方向和特色：

适用于金属、陶瓷、半导体、矿物、生物、高分子、复合材料和纳米级一维、二维和三维材料的表面形貌和组织结构观察。