一、主要规格及技术指标：

1、主要规格 ：

一套完整制备和表征的超高真空系统。该系统配有三个超高真空腔（分别是分子束外延系统、制备腔和扫描探针显微镜系统），三个离子泵，三个分子泵，三个机械泵，一个低温系统的杜瓦，一个防震台，三个控制机柜，一台高能电子反射衍射仪和低能电子衍射仪，一台原位Ar+ 刻蚀抢和俄歇表征系统，一台膜厚仪，一个plasma源，一个He检漏系统。

2、技术指标 ：

(1)分子束外延系统：

① 四个电阻丝蒸发式束源炉，分别是两个高温（最高可达2000℃）和两个低温（最高温度可达1400℃）；

② 一台高能电子反射衍射仪，衍射电子能量范围是 10KeV-20KeV，可监测样品表面结构，并且可看到清晰的衍射斑纹或斑点；

③ 一个plasma 源，在150w左右情况下，气压约10-5mbar的量级下，可启辉O2或者N2源；

④ 一个膜厚仪，将石英晶振片移至样品的地方，可监测分子束沉积的速度，最小精度可达 0.1 ；

⑤ 高温加热系统，可以外延样品加热，最高可达 1000℃ ；

⑥ 真空系统，背底真空室温下小于 1*10-10mbar 量级。

(2)制备腔：

① 真空系统，背底真空室温下最低小于 1*10-10mbar 量级 ；

② 低温束源炉，可同时安装三种源（主要针对有机分子源），最高温度可达 200℃ ；

③ 一个 Ar+ 离子腔，刻蚀能量最高可达2KeV，电流有3mA，6mA和15mA三档；

④ 低能电子衍射仪 ：电子能最高可达 500eV，可看到清晰的电子衍射班点，同时配有俄歇能谱,探测样品中存在的元素；

⑤ 电阻丝和外加 e-beam 加热，可对样品进行辐射和e-beam两种方式同时加热，可加最高电压650V；

⑥ 四探针输运表征，操作台上还配有四探针输运表征系统，最低测试最低温度可达77 K。

(3)扫描探针系统：

① 扫描隧道显微镜，在室温下，看到清晰的 Si(111) 表面原子象，同时可做dI/dV谱；

② (Qplus-AFM, 液氦环境下，可看到清晰的Si(111)表面原子象；

③ 四探针输运系统，从液氦至室温范围原位测试样品输运性能；

④ 存储样品台，最大容量可同时存储 8 个样品台，四个探针；

⑤ 真空系统，室温下本地真空小于 1*10-9mbar。

二、应用方向和特色：

系统最大的特色是可外延制备高质量的薄膜，精确控制样品制备和处理的结构，同时可对高质量的样品进行原位的表面结构和输运性能的表征。

三、操作规程及常见故障处理：

1、操作规程 ：

操作规程必须按照超高真空系统规则经行，本套系统对真空度要求很高，所以任何操作都不能对真空度产生不良影响，同时不能影响设备的正常工作。

2、常见的故障处理 ：

(1)水循环忘记打开，如果系统正在工作，这时必须先将经行的工作停下来，等系统温度接近室温，再缓慢打开水冷系统；

(2)传输样品时，发现样品传输比较费力，这时必须，调节位置，切勿硬传，否则极易损坏样品台；

(3)高温处理样品时，如果忘记加液氮冷却，必须快速将工作停下来，并尽快进行液氮降温；

(4)如果发现腔体内气压较高，必须迅速关闭通气阀门，关闭离子泵阀门和离子规等，直到腔内气压降到可工作范围再打开。