一、主要技术指标：

1.分辨率：1.6nm (20kV) 4.0nm (1kV)；

2.加速电压：0.1～30kV；

3.放大倍率：×28～ ×2000,000；

4.束流强度：5pA～20nA；

5.最大样品尺寸：20mm×20mm；

6.真空度：10-9mbar (电子枪)；10-7mbar (样品室)；

7.束斑尺寸：3.9nm（1kV 30um光 阑 ）1.5nm（20kV 30um光阑）；

8.束斑位置稳定性：185.4nm/h（10kV）；

9.束流稳定性：0.5%/hrs（10kV）；

10.最小光刻特征尺寸：6.7nm（线宽）。

二、主要功能特色

1.电子束曝光；

2.SEM应用。

三、样品要求：

1.支持多种规格的样品（EBL）；

2.样品干燥、非磁性、非粉末、非有机物样品(高真空下10kV电子束轰击不能具有挥发性)（SEM）。